ترجمه مقاله ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید

دانلود اصل مقاله لاتین دانلود پایان نامه دانلود ترجمه مهندسی برق دانلود رایگان ترجمه برق دانلود رایگان مقاله انگلیسی اقتصاد دانلود رایگان مقاله انگلیسی برق دانلود رایگان مقاله لاتین دانلود مقاله دانلود مقاله رشته برق شکل تلفات توان ضرب کننده ولتاژ ضرب کننده ولتاژ مبنی اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید مبنی اینورتر مدارات اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى ولتاژ ولتاژ آستانه ذاتی ولتاژ برمبنای اینورتر word new cmos inverter based voltage multipliers افت ولتاژ الکترونیک اینورتر cmos برق برق الکترونیک ترانزیستور ترانزیستور عبورpmos nmos ترجمه سلیس روان مقاله ترجمه مقالات انگلیسی ترجمه مقالات لاتین ترجمه مقاله ضرب کننده ولتاژ مبنی اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید

عنوان اصلی: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers

ترجمه عنوان: ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید.

موضوع: برق و الکترونیک

فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحه: ١۵

چکیده

چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبورPMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC ٠.٣۵μm CMOS ٢P۴M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها ١.٧۵×١.٣٢ mm٢ می باشد.

مقدمه

کاربرد بیشتر و بیشتر ضرب کننده های ولتاژ، در زمینه های مختلف در نوشتجات گوناگون را می توان دید. یک پمپ شارژ AC/DC که گاهی نیز ضرب کننده ولتاژ نامیده می شود، ولتاژ AC ورودی را به ولتاژ خروجی DCبا دامنه افزایش یافته تبدیل می کند. به سبب ساختار ساده آن و عملکرد تبدیل مناسب، مدارات یکسوساز بطور گسترده ای در تشخیص فرکانس رادیویی (RFID)، تلمتری بیسیم، کاشت های پزشکی و کاربرد های دیگر، استفاده می شوند.

برای تحقیق مبدل AC/DC، یکسوسازهای تمام موج مرسوم تشکیل شده از ترانزیستورهای PMOS و NMOS دیود-متصل-شده، دارای مشکل تلفات توان مبنی بر ولتاژ آستانه ذاتی می باشند [۴]. این یکسوساز معمولن در مدارات ولتاژ بالا که افت ولتاژ مستقیم دیود پایین است، کاربرد دارد. برای یکسوسازهای ولتاژ پایین، این افت ولتاژ به اندازه چشم گیری زیاد بوده و وابسته به جریان عبوری می باشد. ولتاژ خروجی یکسو شده و بازده تبدیل توان (PCE) را کاهش می دهد. به منظور بالا بردن بازده یکسوساز، یک یکسوساز فعال با افت ولتاژ کم، در [۵] آورده شده است.

دانلود «ترجمه مقاله ضرب کننده ولتاژ ...»