ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری

cmos technology new subthreshold concepts 65nm cmos technology subthreshold concepts 65nm cmos technology الکترونیک برق برق الکترونیک ترجمه سلیس روان مقاله ترجمه مقالات انگلیسی ترجمه مقالات لاتین ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری حسگری بی سیم دانلود اصل مقاله لاتین دانلود ترجمه مهندسی برق دانلود رایگان ترجمه برق دانلود رایگان مقاله انگلیسی برق دانلود رایگان مقاله لاتین دانلود مقاله دانلود مقاله مهندسی برق الکترونیک زیرآستانه فناوری cmos 65 نانومتر کم توان مقیاس نانو ناحیه زیرآستانه ای ولتاژ پایین word

عنوان اصلی: New Subthreshold Concepts in ۶۵nm CMOS Technology

ترجمه عنوان: مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى ۶۵ نانومتری.

موضوع: برق و الکترونیک

فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحه: ١۶

چکیده

در این مقاله، در مورد چالش های مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS ۶۵ نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایش های گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل ٢٣% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

کلیدواژه: ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو

مقدمه

در چند سال اخیر، تلاشهای زیادی در جهت تحقیق و توسعه مدارهای کاربردی کم توان برای گرههای حسگری بی سیم تغذیه شده با باتری صورت گرفته است. اخیرا تعدادی از مقالات در این زمینه، در رابطه با استفاده از حوزه زمانی ADC به جای حوزه دامنه بحث کرده اند [١] – [۴]. در مقالات مذکور، مبدل ها را می توان تماما از مولفه مداری دیجیتال ایجاد کرد ، اما این کار شرایط بسیار بسته ای را برای مقایسه گر و مدار نمونه بردای ایجاد خواهد کرد. برای مطابقت با این شرایط، باید فلیپ فلاپ های کم توان و پرسرعت با احتمال کم زیرپایداری طراحی شود. در سالهای اخیر، با کوچک شدن مقیاس های مداری در ابعاد اتمی، جریان های نشت مداری افزایش چشمگیر داشته است که منجر به اتلاف توان بالاتر می شود.

دانلود «ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ...»