ترجمه مقاله مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون

مقاله ترجمه شده word low thermal budget monolithic integration soi thermal budget monolithic integration آشکارساز نور آشکارساز نوری ژرمانیوم اینورتر cmos بادجت برق برق الکترونیک ترجمه مقالات لاتین ترجمه مقاله مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم روی سیلیکون حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم روی سیلیکون دانلود ترجمه مقاله دانلود ترجمه مهندسی برق دانلود رایگان مقاله انگلیسی برق دانلود مقالاه انگلیسی مهندسی برق دانلود مقاله انگلیسی برقو الکترونیک ترجمه روی ژرمانیوم سیلیکون مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم

عنوان اصلی: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform

ترجمه عنوان: مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى سیلیکونی.

موضوع: برق و الکترونیک

فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحه: ٢۴

چکیده

طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI)(منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی نخست-الکترونی و سپس-فوتونی ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موج بر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -١.٠ v کار میکند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریانIdark کمتر از ∼٠.۵٧میکرو آمپر می باشد؛ در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی ١ میکروآمپری متناوب که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخدهی بسیار سریع ∼٠.٩٢ A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج ١۵۵٠ نانومتر بدست آمده است، که درای بازده کوآنتومی ٧٣% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼٢۴.۴ ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -٣ dB با پهنای باند ١١.٣ گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی ٢^٧-١)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) ٨.۵ گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (٨٠٠ درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکونبرای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.

دانلود «ترجمه مقاله مجتمع سازی یکپارچه ...»